發(fā)布時(shí)間：2021-10-19
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硅的污染及處理：
硅化合物污染發(fā)生在強(qiáng)堿陰離子交換器中，尤其是在強(qiáng)、弱型陰樹(shù)脂聯(lián)合應(yīng)用的設(shè)備和系統(tǒng)中，其結(jié)果往往導(dǎo)致陰離子交換器除硅效率下降。
陰床的強(qiáng)堿樹(shù)脂再生不當(dāng)、失效的樹(shù)脂未及時(shí)再生或陰樹(shù)脂再生不徹底，會(huì)發(fā)生硅酸在樹(shù)脂顆粒內(nèi)部聚合的現(xiàn)象，而難以再生，這種現(xiàn)象是硅在樹(shù)脂內(nèi)的積聚，不屬于硅的污染。硅的污染是指再生過(guò)程中，已從樹(shù)脂上再生出來(lái)的硅酸鹽，由于再生液pH值的降低，大量的硅酸以膠體狀態(tài)析出，嚴(yán)重時(shí)再生液可以變成膠凍狀，被覆于樹(shù)脂表面，影響樹(shù)脂的交換容量，并造成出水SiO2含量增高。
順流再生固定床和移動(dòng)床一般不會(huì)發(fā)生硅的污染。硅的污染主要發(fā)生于原水中硅的含量與總陰離子含量（不包括堿度）比值高的對(duì)流再生單床，尤其是在弱、強(qiáng)型陰離子交換樹(shù)脂聯(lián)合應(yīng)用的設(shè)備和系統(tǒng)中。
清洗二氧化硅污染可用燒堿，建議用量為130-160g/L，濃度為2.0%，處理溫度為50°C-60°C。樹(shù)脂床須先浸泡，如條件不允許，可將溶液以2個(gè)床體積/小時(shí)的流速通過(guò)樹(shù)脂床，這方法的關(guān)鍵是保持較高溫度及接觸時(shí)間。
防止硅污染的主要措施有：
1、陰床失效后要及時(shí)再生，不在失效態(tài)備用。
2、再生堿液應(yīng)加熱，Ⅰ型樹(shù)脂不高于40°C，Ⅱ型樹(shù)脂不高于35°C。
3、降低再生液的濃度至2%NaOH。
4、再生液的流速不低于5m/h，但應(yīng)保持進(jìn)再生液的時(shí)間不少于30min。
5、聯(lián)合應(yīng)用系統(tǒng)中要從設(shè)計(jì)上保證弱型樹(shù)脂先失效。
